為了滿足各種半導(dǎo)體器件的需要，必需對(duì)材料的電學(xué)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，這些參數(shù)一般為電 阻率、載流子濃度、導(dǎo)電類型、遷移率、壽命及載流子濃度分布等。測(cè)量方法有四探
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摘要：對(duì)四探針技術(shù)測(cè)試薄層電阻的原理進(jìn)行了綜述，重點(diǎn)分析了常規(guī)直線四探針法、改進(jìn)范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的測(cè)試原理，并應(yīng)用斜置式Rymaszewski 法研
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晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)
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磁控濺射磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍
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在平板電視和小家電中大量采用貼片半導(dǎo)體元件，由于該類元件體積小，無(wú)法直接印元件的型號(hào)，只能標(biāo)注代碼，但代碼命名規(guī)則不統(tǒng)一，所以查找起來(lái)很麻煩。在實(shí)踐中，筆者
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摘要：等離子劃片是近年來(lái)興起的一項(xiàng)新型圓片劃片工藝。與傳統(tǒng)的刀片劃片、激光劃片等工藝不同，該工藝技術(shù)可以同步完成一張圓片上所有芯片的劃片，生產(chǎn)效率明顯提升
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在我們的生活中，隨處都可見表面不同的拉絲工藝，表面拉絲處理是通過(guò)研磨產(chǎn)品在工件表面形成線紋，起到裝飾效果的一種表面處理手段。今天小編就與大家從拉絲的應(yīng)用、
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原子層沉積技術(shù)簡(jiǎn)介隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷推進(jìn)，電子器件不斷地走向微型化和集成化。小小的一塊芯片，在顯微鏡下放大一萬(wàn)倍觀看（圖1），其復(fù)雜程度不亞于一座城市。而
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濺射沉膜技術(shù)定義以一定能量的粒子（離子或中性原子、分子）轟擊固體表面，使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。濺射只能在一定的真
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摘 要： 采用不同的固封方式，驗(yàn)證了航天用CQFP封裝器件在嚴(yán)苛力學(xué)條件下的抗振效果，并通過(guò)熱循環(huán)試驗(yàn)表明了不同膠黏劑由于熱膨脹系數(shù)的差異對(duì)焊點(diǎn)產(chǎn)生的影響。力
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