光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
Photolithography(光刻)意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形(工藝);在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上的過程。
一、光刻的目的
使表面具有疏水性,增強(qiáng)基底表面與光刻膠的黏附性。
二、光刻機(jī)工作原理
光刻機(jī)的工作原理圖
簡(jiǎn)單介紹一下圖中各設(shè)備的作用。
測(cè)量臺(tái)、曝光臺(tái):承載硅片的工作臺(tái),也就是本次所說(shuō)的雙工作臺(tái)。
光束矯正器:矯正光束入射方向,讓激光束盡量平行。
能量控制器:控制最終照射到硅片上的能量,曝光不足或過足都會(huì)嚴(yán)重影響成像質(zhì)量。
光束形狀設(shè)置:設(shè)置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀,不同的光束狀態(tài)有不同的光學(xué)特性。
遮光器:在不需要曝光的時(shí)候,阻止光束照射到硅片。
能量探測(cè)器:檢測(cè)光束最終入射能量是否符合曝光要求,并反饋給能量控制器進(jìn)行調(diào)整。
掩模版:一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計(jì)圖的玻璃板,貴的要數(shù)十萬(wàn)美元。
掩膜臺(tái):承載掩模版運(yùn)動(dòng)的設(shè)備,運(yùn)動(dòng)控制精度是nm級(jí)的。
物鏡:物鏡由20多塊鏡片組成,主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小,再被激光映射的硅片上,并且物鏡還要補(bǔ)償各種光學(xué)誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計(jì)難度大,精度的要求高。
硅片:用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸,尺寸越大,產(chǎn)率越高。題外話,由于硅片是圓的,所以需要在硅片上剪一個(gè)缺口來(lái)確認(rèn)硅片的坐標(biāo)系,根據(jù)缺口的形狀不同分為兩種,分別叫flat、notch。
內(nèi)部封閉框架、減振器:將工作臺(tái)與外部環(huán)境隔離,保持水平,減少外界振動(dòng)干擾,并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。
三、光刻機(jī)分類
光刻機(jī)一般根據(jù)操作的簡(jiǎn)便性分為三種,手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)。
A 手動(dòng):指的是對(duì)準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式,是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來(lái)完成對(duì)準(zhǔn),對(duì)準(zhǔn)精度可想而知不高了;
B 半自動(dòng):指的是對(duì)準(zhǔn)可以通過電動(dòng)軸根據(jù)CCD的進(jìn)行定位調(diào)諧;
C 自動(dòng):指的是從基板的上載下載,曝光時(shí)長(zhǎng)和循環(huán)都是通過程序控制,自動(dòng)光刻機(jī)主要是滿足工廠對(duì)于處理量的需要。
光刻機(jī)可以分為接近接觸式光刻、直寫式光刻、以及投影式光刻三大類。接近接觸式通過無(wú)限靠近,復(fù)制掩模板上的圖案;投影式光刻采用投影物鏡,將掩模板上的結(jié)構(gòu)投影到基片表面;而直寫,則將光束聚焦為一點(diǎn),通過運(yùn)動(dòng)工件臺(tái)或鏡頭掃描實(shí)現(xiàn)任意圖形加工。光學(xué)投影式光刻憑借其高效率、無(wú)損傷的優(yōu)點(diǎn),一直是集成電路主流光刻技術(shù)。
四、光刻機(jī)應(yīng)用
光刻機(jī)可廣泛應(yīng)用于微納流控晶片加工、微納光學(xué)元件、微納光柵、NMEMS器件等微納結(jié)構(gòu)器件的制備。
光刻機(jī)
實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展;廣義上來(lái)講,刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱,成為微加工制造的一種普適叫法。
刻蝕機(jī)
一、刻蝕機(jī)的原理
感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法(InducTIvely CoupledPlasma Etch,簡(jiǎn)稱ICPE)是化學(xué)過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電,產(chǎn)生高密度的等離子體,在下電極的RF 射頻作用下,這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊,基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷,與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì),以氣體形式脫離基片,從真空管路被抽走。
二、刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別
刻蝕相對(duì)光刻要容易。
光刻機(jī)把圖案印上去,然后刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案(或者沒有圖案)的部分,留下剩余的部分,外行容易混淆“光刻機(jī)”和“刻蝕機(jī)”。光刻機(jī)相當(dāng)于畫匠,刻蝕機(jī)是雕工。前者投影在硅片上一張精細(xì)的電路圖(就像照相機(jī)讓膠卷感光),后者按這張圖去刻線(就像刻印章一樣,腐蝕和去除不需要的部分)。