半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。
01 引線框架簡介（作用，構(gòu)成，材料選擇，及工藝概述）
引線框架是半導(dǎo)體封裝的基礎(chǔ)材料，是集成電路的芯片載體，借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，起到和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用，主要功能是起到電路連接、散熱、機(jī)械支撐等作用。
框架構(gòu)成：主要由兩部分組成，芯片焊盤和引腳。芯片焊盤在封裝過程中為芯片提供機(jī)械支撐，引腳是連接芯片到封裝外的電學(xué)通路，每一個(gè)引腳末端都與芯片上的一個(gè)焊盤通過引線連接，為內(nèi)引腳，另一端提供與基板或PC板的機(jī)械和電學(xué)連接，為管腳。
在選擇引線框架時(shí)要考慮如下因素：制造難易、框架性能要求、合適的加工方法、以及成本。
考慮因素具體說明：
框架性能要求：
選材：框架與塑封材料的粘合性，物理鍵合是不夠的，要考慮化學(xué)鍵合。
粘結(jié)性、熱膨脹系數(shù)、強(qiáng)度以及電導(dǎo)率框架的幾何形狀和成分也應(yīng)考慮，會影響到封裝模塊的可加工性、質(zhì)量及性能。
框架材料能否滿足加工、封裝裝配、PCB板裝配及器件的性能要求。
合適的加工方法：
引線框架的加工方法一般為機(jī)械沖壓法和化學(xué)蝕刻法。
機(jī)械沖壓法
一般使用跳步工具，靠機(jī)械力作用進(jìn)行沖切，這種方法所使用的模具比較昂貴，但框架生產(chǎn)成本低。
缺點(diǎn)：機(jī)械沖壓加工的精度無法滿足高密度的封裝要求。
化學(xué)蝕刻法
主要采用光刻及金屬溶解的化學(xué)試劑從金屬條帶上蝕刻出圖形。大體可分為以下步驟：
沖壓定位孔→雙面涂光刻膠→ UV通過掩模版曝光、顯影、固化→通過化學(xué)試劑腐蝕暴露金屬（通常使用FeCl3等試劑）→去除光刻膠
蝕刻法特點(diǎn)：設(shè)備成本低、框架成本較高、生產(chǎn)周期短。
鍍層材料的選擇
框架材料在完成成型加工后，要進(jìn)行框架表面處理，目的是使框架防止銹蝕，增加粘結(jié)性和可焊性。鍍層材料要比框架基體具有更好的抗腐蝕性，要致密，無空洞，有強(qiáng)度保證不在后期工序中開裂，防止氧化。
一般的鍍層工藝不會在整個(gè)框架上涂鍍層，在框架芯片焊盤和內(nèi)引腳上鍍銀，增加粘結(jié)性和可焊性。
為解決銅合金的氧化問題，可在表面鍍一層高分子材料，特種高分子材料在一定溫度下會發(fā)生分解揮發(fā)，保證了框架的抗腐蝕性又不會影響到材料的可靠性以及與其他材料的粘結(jié)性。
較大尺寸封裝，可以用聚合物帶狀材料增強(qiáng)框架的機(jī)械強(qiáng)度，起到降低塑封材料流動(dòng)時(shí)引線掛斷或者芯片移位等問題，用于增加框架的機(jī)械強(qiáng)度。
聚合物帶狀材料的技術(shù)壁壘在于：必須經(jīng)受住高溫工藝，包括成型操作、后固化及接下來的溫度循環(huán)和器件可靠性測試，一般用的比較多的是聚酰亞胺膜（提示：此處為技術(shù)壁壘及一般可用材料）。
框架材料通常由合金材料制成，封裝技術(shù)決定了封裝材料的使用，基本是一代封裝、一代材料的發(fā)展規(guī)律，不同的半導(dǎo)體封裝方式需要采用不同的引線框架（不同的封裝方式請見附表）。