1）硅片研磨的UV減粘膠帶BG tape
這個(gè)應(yīng)用是原料的硅錠切割成硅片以后，表面有些鋸痕破損等，需要進(jìn)行研磨拋光等處理。
這過(guò)程中需要用到BG tape，Back grindingtape。
首先，這個(gè)厚度公差正負(fù)1um，已經(jīng)把幾乎所有的膠帶廠商擋在了門外，膠的涂布使用一些精密的涂布機(jī)可以達(dá)到，但是搭配上那個(gè)膜，就很難了，行業(yè)一般使用PO聚烯烴膜，目前也是只有日本廠商能大量提供，國(guó)內(nèi)在研發(fā)起步中；
其次，膠是水性膠，盡量不留殘膠，即使有也很容易清洗去除，膠本
再次，PO膜本身的除了厚度管控，還要防靜電處理，保持柔軟性而便于貼合硅片無(wú)氣泡，無(wú)離子析出等等，也是很難做到。
2）晶圓減薄保護(hù)膠帶
在如臺(tái)積電等工廠完成晶圓后，硅片上已經(jīng)有很多芯片電路了。
如上圖，左邊是線路面，右邊是背面，這樣的產(chǎn)品，對(duì)于封裝來(lái)說(shuō)，還是偏厚了，需要進(jìn)行再減薄，更薄的產(chǎn)品，利于將來(lái)芯片的散熱，封裝后的芯片更加輕薄，也有更好的電性能，所以在foundry廠出貨前或者芯片封裝廠封裝前，需要將晶圓從背面進(jìn)行減薄。
這類也是BG tape，只是應(yīng)用點(diǎn)不一樣，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)也是類似。
簡(jiǎn)單的工藝如下：
首先，這個(gè)膠也是可以用UV減粘，因?yàn)橛行㊣C如存儲(chǔ)功能的，不能照射UV，所以也有熱減粘或者其他方式的減粘，膠要接觸芯片，肯定也是需要不留殘膠，容易清潔等要求。不同的晶圓尺寸，也有不同的粘度需求，不同的表面，還需要不同厚度的膠來(lái)解決表面段差情況。
其次基材也是有PO或者PVC，都有要保持柔韌性，PO膜貴一點(diǎn)，PVC便宜一點(diǎn)，但是有增塑劑析出的問(wèn)題需要改善。
3）晶圓切割膠帶
Wafer晶圓經(jīng)過(guò)減薄以后，還是一整片的，需要切割成一個(gè)個(gè)單個(gè)芯片chip，這過(guò)程中需要使用UV Dicing tape，下圖是一個(gè)典型的dicing過(guò)程。
將膠帶貼在wafer背面，固定在機(jī)臺(tái)上，進(jìn)行切割，粘性需要一定的保證，否則容易崩邊等不良，不留殘膠，某些芯片也不可以使用UV光照。
而基材也有很多學(xué)問(wèn)，防靜電，
4）QFN封裝膠帶
目前芯片封裝方式有很多，甚至接近百種，其中非常流行的一種方式叫QFN封裝，Quad Flat No-leads Package，方形扁平無(wú)引腳封裝。
而QFN封裝的工藝如下：
這過(guò)程中用到一種以PI聚酰亞胺為基材，丙烯酸酯為膠的一種單面膠帶。
將QFN膠帶貼在引線框背面，然后涂導(dǎo)電膠或者絕緣膠，固化后，打金線導(dǎo)體各個(gè)pad，再用環(huán)氧樹(shù)脂灌封，封裝結(jié)束后移除這個(gè)膠帶。
膠帶需要使用PI耐高溫的性能，然后不能使用硅膠作為膠黏劑，因?yàn)闀?huì)引起硅污染，丙烯酸類膠耐高溫，就有不小的挑戰(zhàn)，而且還要不留殘膠。
同時(shí)這個(gè)過(guò)程中，用到的導(dǎo)電膠，環(huán)氧樹(shù)脂等也是很獨(dú)特的材料，掌握在少數(shù)幾個(gè)國(guó)際巨頭手中。
5）晶片粘結(jié)膠膜
將芯片固定在引線框架上或者粘接兩層wafer，可以使用膠水，dieattach adhesive，或者也可以使用熱敏型的DAF膠膜，Die attach film，或者有導(dǎo)電的CDAF。
6）芯片包裝的載蓋帶
芯片封裝結(jié)束后，需要使用專門的載蓋帶包裝。