●EUV、450mm晶圓和TSV技術都將延遲
根據ICinsights公司的數據,看起來幾個正在顯現(xiàn)的重要的IC制造技術都將延遲,包括450mm晶圓和遠紫外(EUV)光刻技術。根據分析,450mm晶圓廠量產可能要比預期的時間晚兩年,要等到2015年或2016年。而EUV將會錯過16nm節(jié)點,因此要等到2015年的13nm節(jié)點才能引入。
另一個技術,基于硅穿孔(TSV)的3D器件還處于萌芽期并“過高估計”了,IC insight分析師TrevorYancey表示。對于TSV的3D器件的吹噓太多了,但在基板、測試和成本方面,還有很多問題需要解決。
一些人認為TSV要進入主流應用還需要更長的時間。換句話來說,能幫助延續(xù)摩爾定律的三個技術——450mm,EUV和TSV——目前還是談論多于實際。
450mm技術轉移的延遲并不奇怪。IC insights公司主席BillMcClean在一個活動上表示:“經濟不景氣讓450mm技術變得無關緊要。”
根據報道,英特爾,臺積電和三星正在分別推進45mm“原型”工廠在2012年的到來。這幾家公司在尋找在32nm節(jié)點上的45mm“演示”工具和22nm上的“導入工具”。有人認為450mm工廠不會出現(xiàn),他們認為研發(fā)費用太高了。沒有人清楚誰會為工具和研發(fā)費用買單。
在前不久的半導體產業(yè)策略座談會(ISS)上,有謠言說450mm技術已經延遲了,據說要等到15nm節(jié)點才會有導入工具。有人推測,經濟衰退,加上工具供應商的支持不足,是導致延遲的原因之一。
450mm量產工廠不會再2014年之前出現(xiàn),Yancey表示。他認為450mm更可能出現(xiàn)的時間是“2015年或2016年”。Yancey同時相信量產工廠采用EUV也將遲于新的目標日期,預期是2013年的16nm邏輯節(jié)點。有可能EUV會支持第二代的16nm器件,但看起來這也不會發(fā)生。
更有可能的情況是EUV在2015年的13nm邏輯節(jié)點上進入量產工廠,他表示?;谙惹暗目紤],還有功率源、光刻膠和掩膜等問題需要解決。
英特爾和Sematech公司的警告日前再一次響起。芯片制造協(xié)會日前警告資金短缺和掩膜檢測問題將影響EUV光刻的實施。三星也發(fā)出了這樣的警告。