●8位專家展望EUV光刻技術(shù)（一）
在文章的最后，我們引用GlobalSources電子工程專輯于2010年05月07日對(duì)業(yè)界光刻專家和該領(lǐng)域的一些高層人員以“光刻技術(shù)路在何方”為主題的一次訪談。這次訪談的作者為來(lái)自電子工程專輯馬立得先生。
光刻技術(shù)正處在十字路口并可能是在向錯(cuò)誤的方向發(fā)展。
光刻是支撐摩爾定律所闡明的IC工藝不斷縮微的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)。當(dāng)前的技術(shù)仍然可行，而且其壽命已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了所有人的預(yù)期，所以將在不久的將來(lái)失去動(dòng)力。其后繼技術(shù)的研究在幾十年前就已經(jīng)開(kāi)始。
然而，今天，在四個(gè)主要的下一代光刻(NGL)候選技術(shù)中，有三個(gè)技術(shù)，即超紫外線(EUV)、多波束無(wú)掩膜和納米壓印，落后于時(shí)間表。
業(yè)界之前所預(yù)測(cè)的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖
特別是EUV技術(shù)，消耗了大量的研發(fā)時(shí)間和財(cái)富，但仍沒(méi)有取得多少成果，這促使一些人士呼吁把開(kāi)發(fā)努力重新定向。納米壓印，就其本身而言，存在套刻精度和吞吐量問(wèn)題，而多波束技術(shù)仍然在研發(fā)中。第四個(gè)下一代候選技術(shù)--定向自組裝，是一種很有前途的研究課題，但尚未開(kāi)始研發(fā)。
英特爾早在1997年就領(lǐng)導(dǎo)成立了EUV LLC企業(yè)聯(lián)盟，計(jì)劃在2005年把EUV光刻技術(shù)商業(yè)化的，加盟公司包括AMD、IBM、英飛凌和Micron。
按照原定計(jì)劃，EUV現(xiàn)在應(yīng)該取代傳統(tǒng)的光學(xué)光刻技術(shù)。然而事實(shí)上，光學(xué)光刻目前在半導(dǎo)體領(lǐng)域仍然舉足輕重。至于EUV技術(shù)何時(shí)能投入生產(chǎn)，有人估計(jì)在2012年初，也有人估計(jì)在2015年或2016年，甚至有人認(rèn)為這個(gè)時(shí)間可能永遠(yuǎn)不會(huì)到來(lái)。
也有一些公司在推動(dòng)納米壓印、無(wú)掩膜光刻或一種被稱為自組裝的新興技術(shù)。另外一些公司則希望把今天的光學(xué)光刻技術(shù)一直延續(xù)下去。
對(duì)于這個(gè)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，將賭注押在EUV上錯(cuò)了么？如果真是這樣的話，到底應(yīng)該研究哪種技術(shù)呢？從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，誰(shuí)將最終受益？
1、YanBorodovsky
——英特爾高級(jí)研究員兼技術(shù)和制造部先進(jìn)光刻技術(shù)總監(jiān)
雖然之前一直都在推動(dòng)EUV技術(shù)，但是英特爾目前正在考慮一種混合匹配的光刻戰(zhàn)略。
“針對(duì)未來(lái)的IC設(shè)計(jì)，我認(rèn)為正確的方向是具有互補(bǔ)性的光刻技術(shù)。193納米光刻是目前能力最強(qiáng)且最成熟的技術(shù)，能夠滿足精確度和成本要求，但缺點(diǎn)是分辨率低。利用一種新技術(shù)作為193納米光刻的補(bǔ)充，可能是在成本、性能以及精確度方面的最佳解決方案。補(bǔ)充技術(shù)可以是EUV或電子束光刻?！?/p>
“我認(rèn)為，對(duì)于大批量制造而言，將EUV作為補(bǔ)充技術(shù)存在很多挑戰(zhàn)，多波束電子束同樣如此。NAND閃存廠商有更大的可能去引入某種新技術(shù)，就像我們之前試圖引入EUV那樣。實(shí)際上，邏輯芯片在布局、設(shè)計(jì)規(guī)則和限制方面有更大的自由度。因而我們可以理解，為什么三星將更加積極地部署EUV。他們別無(wú)選擇，只能寄希望于波長(zhǎng)更短、數(shù)值孔徑（NA）更高和K1為0.25的技術(shù)。”
2、G. DanHutcheson
——市場(chǎng)研究公司VLSI Technology CEO
“我認(rèn)為該行業(yè)找到了正確方向。這個(gè)十年比上個(gè)十年好了太多。我記得在上世紀(jì)90年代，所有研究都在遵循下一代光刻的路線圖，沒(méi)有人搞別的東西?！?/p>
“而我們從事的是每年花費(fèi)大量研發(fā)經(jīng)費(fèi)的不斷發(fā)展的業(yè)務(wù)。要確保在將來(lái)的節(jié)點(diǎn)仍遵循摩爾定律，需要有兩到三個(gè)可替代現(xiàn)有技術(shù)的方案。作為最后的手段，電子束技術(shù)總能保證寫(xiě)入的幾何精密性，但缺點(diǎn)是它違反了摩爾定律。壓印是一項(xiàng)非常有趣的技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)有待開(kāi)發(fā)。EUV也是如此?！?/p>
“我們可利用現(xiàn)有的技術(shù)，即雙重成型。如果我是芯片制造商，我會(huì)把大量資金投在雙重成型技術(shù)上，因?yàn)楝F(xiàn)在我的光刻工具的產(chǎn)能基本上下降了一半。也就是說(shuō)，每片晶圓的成本增加了一倍。因此我會(huì)需要雙倍的工具，這對(duì)設(shè)備行業(yè)來(lái)說(shuō)是個(gè)好消息?！?/p>